Extract high-current PCB lessons into a standalone design skill

Separate reusable current-path, Kelvin sensing, startup-state and routing
checks from the BMS case parameters, and include a project review template.

Constraint: Preserve project-specific limits and distinguish analysis from hardware tests.
Confidence: High for package structure and reviewed decision boundaries.
Scope-risk: Narrow; new standalone skill, no PCB changes.
Tested: Skill validator, relative links, market source configuration, read-only scenario review.
Not-tested: Remote authentication returned HTTP 401; no EDA or hardware execution.

references/current-path.md

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+# 完整载流路径与热设计
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+## 定义电流目标
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+分开记录持续额定电流、设计余量目标、瞬态峰值/持续时间、保护动作阈值与短路工况。余量增加不能自动改变产品额定值或保护设定。若用户要求载流余量 50%，先确认适用对象；例如 20 A × 1.5 = 30 A 只是对应部分的设计目标，不是已经验证的连续额定值。
+
+区分直流、脉冲和开关电流。电阻损耗按相应电流波形的有效值或积分计算；用峰值与时间校核瞬态承受能力。缺少波形/持续时间时不能用平均电流替代峰值检查。
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+## 建立分段路径表
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+从正端经保护、功率器件、负载接头到回流负端逐段列出；不同充放电、预充和关断工况分别覆盖。每段记录：
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+`起止焊盘 | 器件/铜段/换层组 | 电流方向与工况 | 层/长度/最小宽度/铜厚 | 电阻依据 | 压降/损耗 | 温度与工艺边界`
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+不要以一个网络的全部走线长度作为串联路径长度；并联分支与覆铜需要按实际拓扑处理。重点定位焊盘出口、保险丝焊盘、MOS 引脚、分流器两端、铜面窄颈和换层入口。
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+## 电阻与损耗估算
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+均匀直铜段可用 `R = ρ(T) × L / (w × t)`，并计算 `Vdrop = I × R`、`Ploss = I² × R`。统一 SI 单位，给出电阻率和工作温度来源；复杂铜面只能把此法作为局部近似，电流拥挤和散热需另查。铜厚使用成品工艺值及其允许偏差，不混淆基铜与成品铜厚。
+
+并联路径仅在两端实际连通且阻抗、接入和散热条件合理时才分流。不同宽度/长度/铜厚的支路不能按数量平均分流；静态电阻网络的电流分配也不能替代瞬态寄生分析。
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+大电流铜的面积、过孔尺寸/数量和闭合电流回路需要一起评估。可参考 TI 的 [40 A 电源布局说明](https://www.ti.com/document-viewer/lit/html/SSZT978) 选择分析对象；其中示例数值不直接作为本板设计规则。
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+## 过孔、通孔端子与焊接
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+- 区分钻孔尺寸、成品孔径、孔壁铜厚、板厚、孔铜连接方式和最小工艺公差。面铜厚不代表孔壁铜厚。
+- 对每个换层位置核对有效孔组，逐孔检查实际网络及两侧是否接入目标连通铜区。孤岛上的孔或只接单侧的孔不能计入完整跨层载流路径。
+- 检查过孔阵列入口、出口及孔间剩余铜，避免用大孔数量掩盖铜面被孔阵列割窄。
+- 内外层可参与并联载流，但需核查换层瓶颈和分流；不能简单把各层标称铜厚相加宣称能力翻倍。
+- 通孔焊线端子核对线径/成品孔配合、焊盘接入、爬锡与润湿、机械拉力、热循环及装配工艺；焊盘直径不能单独对应一个安培额定值。
+- 检查热焊盘辐条是否形成窄颈。采用实心连接时同步确认可焊性和预热方案；不要为载流任意取消装配工艺要求。
+- 加锡、加铜线或铜排仅在被明确设计和工艺控制时计入载流依据，不把手工随意堆锡当稳定增益。
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+## 器件与热瓶颈
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+MOS 导通损耗按实际栅压和温度下的 RDS(on) 估算；有开关/浪涌时补充开关损耗、SOA 和脉冲条件。并联 MOS 还要检查驱动和布局对称性及动态分流，不能只按封装数量倍增额定电流。
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+分流器核对阻值/温漂、持续与脉冲功率、厂商规定测量端、安装铜面积及焊接。保险丝、继电器、连接器、导线和接头均纳入完整路径。保护器件的动作时间、能量和电压钳位应按实际最坏工况核查。
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+热评估至少给出环境温度、允许热点温度、外壳/风冷、相邻热源和持续时间。模型应说明边界条件和材料参数；不能由 DC 铜耗或 DRC 通过推断温升合格。
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+均衡电阻、LDO、MOS 和分流器的热源分开记录。NTC 接近热源的程度由保护目标决定，同时评估局部热源对电芯温度估算的偏置。
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+## 结论表达
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+分别写出“按输入条件估算满足”“存在瓶颈”“工艺参数待确认”“样机未验证”。给出瓶颈坐标/位号、实际尺寸、依据与下一动作。没有可靠温升模型时保留压降/损耗结论，不能编造一个允许电流。